等離子蝕刻機（干刻）與等離子清洗機是一件事嗎？

ailuanbu · 發(fā)表于 2018-11-22 15:03

國內(nèi)這個領(lǐng)域的設(shè)備制造處于什么水平？

libaidexiaohao · 發(fā)表于 2018-11-22 15:04

本帖最后由 libaizibubai 于 2018-11-22 15:06 編輯

一個是用來制作TFT器件的關(guān)鍵制程設(shè)備，一個是用來清除有機物的清洗設(shè)備。
原理上類似，不過復(fù)雜程度完全不一樣。
上班期間，先隨便寫一下。后面再編輯。
抱歉，拖了這么久才寫。
言歸正傳，
要說等離子刻蝕機，我們先從TFT的這個工序說起。

說起Dry Etch（以下簡稱DE，又稱干刻）這個制程，我們先來看看刻蝕是啥玩意：

刻蝕嘛，分為干刻和濕刻。
等離子蝕刻機（干刻）與等離子清洗機是一件事嗎？

利用特定的溶液和薄膜發(fā)生反應(yīng)，這個叫濕刻。
利用等離子電漿去除未被PR覆蓋的薄膜，這個叫干刻，顧名思義，這個制程是沒有液體參與的。

DE這個制程，工藝原理如下：

等離子蝕刻機（干刻）與等離子清洗機是一件事嗎？

Plasma，是一種電離氣體，通過DE機臺產(chǎn)生的。

那么來說等離子刻蝕機：

網(wǎng)上找個圖片，參考一下：
等離子蝕刻機（干刻）與等離子清洗機是一件事嗎？

一般一臺機有幾個腔室，腔室的構(gòu)造目前主要分為如下幾種：
等離子蝕刻機（干刻）與等離子清洗機是一件事嗎？

簡單來說，就是基板在電極的不同側(cè)，然后控制Plasama的方式不同。
另外，因為DE的條件不同，需要不同的氣體，如CL2，SF6等。
還有為保證Plasma質(zhì)量，需要高真空度。

那么等離子清洗機呢？
這個構(gòu)造就簡單的多了，它不用來刻蝕，僅僅是清洗玻璃表面的有機物。不需要高真空，也不需要特殊氣體。
沒找到圖片，簡單畫了一個，不要介意。
等離子蝕刻機（干刻）與等離子清洗機是一件事嗎？

這個東西就是一個長方形盒子，玻璃從底下走過去的時候，實現(xiàn)清洗功能。
它的原理就是電離空氣中的O2，產(chǎn)生氧離子，和有機物發(fā)生反應(yīng)。

bujianqingshan · 發(fā)表于 2018-11-22 15:04

簡單來將蝕刻和清洗是兩種不同工藝，通的工藝氣體不同。等離子清洗機國產(chǎn)的非常多了，如果不是對均勻性和溫度要求高的話，國產(chǎn)基本能滿足。至于蝕刻機，老實說就算進口做的好的品牌也屈指可數(shù)。

dalaobaoge · 發(fā)表于 2018-11-22 15:04

CVD=Chemical Vapor Deposition ，在相當高的溫度下，混合氣體與工件表面相互作用，使混合氣體中的某些成分分解，在工件表面形成金屬或化合物固態(tài)薄膜或鍍層。其為TFT制造中的一道重要工序。
等離子清洗主要為對氣體施加足夠的能量使之離化變成等離子狀態(tài)。通過利用這些活性組分的性質(zhì)來處理樣品表面，從而實現(xiàn)清潔目的，主要用于清潔有機物。

yaqiuqiu · 發(fā)表于 2018-11-22 15:04

樓上那個強強基本說的就是你要的答案了，你要說國內(nèi)的設(shè)備制造水平，那我可以給你講就是基本為零，我們用的基本所有設(shè)備都是進口日韓以及歐美的設(shè)備的。

gezilaozhang · 發(fā)表于 2018-11-22 15:05

本帖最后由 libaizibubai 于 2018-11-22 15:07 編輯

然而我只認得字

shiqixiaoma · 發(fā)表于 2018-11-22 15:05

本帖最后由 libaizibubai 于 2018-11-22 15:07 編輯

不過偶什么都不會

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