本帖最后由 libaizibubai 于 2018-11-22 15:06 編輯
一個(gè)是用來(lái)制作TFT器件的關(guān)鍵制程設(shè)備,一個(gè)是用來(lái)清除有機(jī)物的清洗設(shè)備。
原理上類(lèi)似,不過(guò)復(fù)雜程度完全不一樣。
上班期間,先隨便寫(xiě)一下。后面再編輯。
抱歉,拖了這么久才寫(xiě)。
言歸正傳,
要說(shuō)等離子刻蝕機(jī),我們先從TFT的這個(gè)工序說(shuō)起。
說(shuō)起Dry Etch(以下簡(jiǎn)稱(chēng)DE,又稱(chēng)干刻)這個(gè)制程,我們先來(lái)看看刻蝕是啥玩意:
刻蝕嘛,分為干刻和濕刻。
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2018-11-22 15:04 上傳
利用特定的溶液和薄膜發(fā)生反應(yīng),這個(gè)叫濕刻。
利用等離子電漿去除未被PR覆蓋的薄膜,這個(gè)叫干刻,顧名思義,這個(gè)制程是沒(méi)有液體參與的。
DE這個(gè)制程,工藝原理如下:
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Plasma,是一種電離氣體,通過(guò)DE機(jī)臺(tái)產(chǎn)生的。
那么來(lái)說(shuō)等離子刻蝕機(jī):
網(wǎng)上找個(gè)圖片,參考一下:
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一般一臺(tái)機(jī)有幾個(gè)腔室,腔室的構(gòu)造目前主要分為如下幾種:
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簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),就是基板在電極的不同側(cè),然后控制Plasama的方式不同。
另外,因?yàn)镈E的條件不同,需要不同的氣體,如CL2,SF6等。
還有為保證Plasma質(zhì)量,需要高真空度。
那么等離子清洗機(jī)呢?
這個(gè)構(gòu)造就簡(jiǎn)單的多了,它不用來(lái)刻蝕,僅僅是清洗玻璃表面的有機(jī)物。不需要高真空,也不需要特殊氣體。
沒(méi)找到圖片,簡(jiǎn)單畫(huà)了一個(gè),不要介意。
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這個(gè)東西就是一個(gè)長(zhǎng)方形盒子,玻璃從底下走過(guò)去的時(shí)候,實(shí)現(xiàn)清洗功能。
它的原理就是電離空氣中的O2,產(chǎn)生氧離子,和有機(jī)物發(fā)生反應(yīng)。
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